PMDT290UNEH

Nexperia USA Inc

PMDT290UNEH

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666

AktivSOT-563, SOT-666Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs380mOhm @ 500mA, 4.5V
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.68nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds83pF @ 10V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id950mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C800mA (Ta)
Power - Max330mW (Ta), 1.09W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
Hersteller-GehäuseSOT-666

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101