PMDPB95XNE2X

Nexperia USA Inc

PMDPB95XNE2X

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 2.7A 6HUSON

Aktiv6-UFDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs99mOhm @ 2.8A, 4.5V
Basis-TeilenummerPMDPB95
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds258pF @ 15V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.25V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.7A (Ta)
Power - Max510mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UFDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse6-HUSON (2x2)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)