PMDPB80XP,115

Nexperia USA Inc

PMDPB80XP,115

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6HUSON

Aktiv6-UFDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs102mOhm @ 2.7A, 4.5V
Basis-TeilenummerPMDPB80
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate, 1.8V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds550pF @ 10V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.7A
Power - Max485mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UFDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse6-HUSON (2x2)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)