PMDPB56XNEAX

Nexperia USA Inc

PMDPB56XNEAX

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6DFN

Aktiv6-UDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs72mOhm @ 3.1A, 4.5V
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds256pF @ 15V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.25V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.1A (Ta)
Power - Max485mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseDFN2020D-6

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q100