PMDPB55XP,115

Nexperia USA Inc

PMDPB55XP,115

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON

Aktiv6-UFDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 3.4A, 4.5V
Basis-TeilenummerPMDPB55
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds785pF @ 10V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.4A
Power - Max490mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UFDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse6-HUSON (2x2)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)