PMCXB1000UEZ

Nexperia USA Inc

PMCXB1000UEZ

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 30V 0.59A 6DFN

Aktiv6-XFDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs670mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Basis-TeilenummerPMCXB1000
KonfigurationN and P-Channel Complementary
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id950mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C590mA (Ta), 410mA (Ta)
Power - Max285mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-XFDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseDFN1010B-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)