PH3230S,115

Nexperia USA Inc

PH3230S,115

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

ObsoletSC-100, SOT-669Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4100 pF @ 10 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
VerpackungCut Tape (CT)
TeilestatusObsolet
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)

Mechanisch

Package / CaseSC-100, SOT-669
Hersteller-GehäuseLFPAK56, Power-SO8