PEMD9,115

Nexperia USA Inc

PEMD9,115

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666

AbgekündigtSOT-563, SOT-666Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerPEMD9
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
Resistor - Base (R1)10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)47kOhms
Transistor Type1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic100mV @ 250µA, 5mA

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Current - Collector Cutoff (Max)1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 5mA, 5V
Power - Max300mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
Hersteller-GehäuseSOT-666