PDTC123JT-QR

Nexperia USA Inc

PDTC123JT-QR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerPDTC123
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Resistor - Base (R1)2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)47 kOhms
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic100mV @ 250µA, 5mA

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 5V
Power - Max250 mW
Frequency - Transition230 MHz

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseTO-236AB

Umwelt

GradeAutomotive
QualificationAEC-Q101