PDTB113ZT,215

Nexperia USA Inc

PDTB113ZT,215

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerPDTB113
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Resistor - Base (R1)1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)10 kOhms
Transistor TypePNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Current - Collector (Ic) (Max)500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 50mA, 5V
Power - Max250 mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseTO-236AB