PBSS4160QA-QZ

Nexperia USA Inc

PBSS4160QA-QZ

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

PBSS4160QA-Q/SOT1215/DFN1010D

Aktiv3-XDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Transistor TypeNPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic235mV @ 100mA, 1A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)60 V
Current - Collector (Ic) (Max)1 A
Current - Collector Cutoff (Max)100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce230 @ 100mA, 2V
Power - Max325 mW
Frequency - Transition180MHz

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case3-XDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseDFN1010D-3

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101