NX7002BKXBZ

Nexperia USA Inc

NX7002BKXBZ

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 60V 0.26A 6DFN

Aktiv6-XFDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8Ohm @ 200mA, 10V
Basis-TeilenummerNX7002
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds23.6pF @ 10V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C260mA
Power - Max285mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-XFDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseDFN1010B-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)