NX5008NBKMYL

Nexperia USA Inc

NX5008NBKMYL

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 50V 350MA DFN1006-3

AktivSC-101, SOT-883Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8Ohm @ 200mA, 4.5V
Basis-TeilenummerNX5008
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds29 pF @ 25 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C350mA (Ta)
Max. Verlustleistung350mW (Ta), 2.8W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-101, SOT-883
Hersteller-GehäuseSOT-883

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)