NX5008NBKHH

Nexperia USA Inc

NX5008NBKHH

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 50V 350MA DFN0606-3

Aktiv3-XFDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8Ohm @ 200mA, 4.5V
Basis-TeilenummerNX5008
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds30 pF @ 25 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C350mA (Ta)
Max. Verlustleistung380mW (Ta), 2.8W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case3-XFDFN
Hersteller-GehäuseDFN0606-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)