NX3020NAKW,115

Nexperia USA Inc

NX3020NAKW,115

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 180MA SOT323

AktivSC-70, SOT-323Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5Ohm @ 100mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13 pF @ 10 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C180mA (Ta)
Max. Verlustleistung260mW (Ta), 1.1W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSC-70, SOT-323
Hersteller-GehäuseSOT-323

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)