NX138BKR

Nexperia USA Inc

NX138BKR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5Ohm @ 200mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds20.2 pF @ 30 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C265mA (Ta)
Max. Verlustleistung310mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseTO-236AB

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)