BUK9Y38-100E,115

Nexperia USA Inc

BUK9Y38-100E,115

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56

AktivSC-100, SOT-669Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs38mOhm @ 5A, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2541 pF @ 25 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
Max. Verlustleistung94.9W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101