BUK9Y19-55B/C2,115

Nexperia USA Inc

BUK9Y19-55B/C2,115

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56

ObsoletSC-100, SOT-669Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs17.3mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1992 pF @ 25 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieTrenchMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C46A

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-100, SOT-669
Hersteller-GehäuseLFPAK56, Power-SO8