BUK9C10-65BIT,118

Nexperia USA Inc

BUK9C10-65BIT,118

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 65V 75A D2PAK-7

ObsoletTO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.3mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs59.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4170 pF @ 25 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR)
TeilestatusObsolet
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±15V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung65 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C75A (Tc)
Max. Verlustleistung171W (Tc)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101