BUK7Y2R5-40HX

Nexperia USA Inc

BUK7Y2R5-40HX

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56

AktivSC-100, SOT-669Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4790 pF @ 25 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+20V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Ta)
Max. Verlustleistung190W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101