BUK7E13-60E,127

Nexperia USA Inc

BUK7E13-60E,127

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 58A I2PAK

ObsoletTO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1730 pF @ 25 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartThrough Hole
VerpackungTube
TeilestatusObsolet
SerieTrenchMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C58A (Tc)
Max. Verlustleistung96W (Tc)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101