BUK7C10-75AITE,118

Nexperia USA Inc

BUK7C10-75AITE,118

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

ObsoletTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 50A, 10V
FET FeatureCurrent Sensing
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4700 pF @ 25 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieTrenchMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C75A (Tc)
Max. Verlustleistung272W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101