BUK7C08-55AITE,118

Nexperia USA Inc

BUK7C08-55AITE,118

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

ObsoletTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 50A, 10V
FET FeatureCurrent Sensing
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4200 pF @ 25 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C75A (Tc)
Max. Verlustleistung272W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Hersteller-GehäuseD2PAK-7

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)