BUK6Y10-30PX

Nexperia USA Inc

BUK6Y10-30PX

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 30V 80A LFPAK56

AktivSC-100, SOT-669Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 13.5A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2360 pF @ 15 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
SerieTrenchMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Ta)
Max. Verlustleistung110W (Ta)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101