BUK6C2R1-55C,118

Nexperia USA Inc

BUK6C2R1-55C,118

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 55V 228A D2PAK

ObsoletTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.3mOhm @ 90A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds16000 pF @ 25 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieTrenchMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C228A (Tc)
Max. Verlustleistung300W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101