BSS84,215

Nexperia USA Inc

BSS84,215

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 50V 130MA TO236AB

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs10Ohm @ 130mA, 10V
Basis-TeilenummerBSS84
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds45 pF @ 25 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C130mA (Ta)
Max. Verlustleistung250mW (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseTO-236AB

Umwelt

Betriebstemperatur-65°C~150°C(TJ)