BSH205G2AR

Nexperia USA Inc

BSH205G2AR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236AB

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs118mOhm @ 2.6A, 4.5V
Basis-TeilenummerBSH205
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds421 pF @ 10 V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A (Ta)
Max. Verlustleistung610mW (Ta), 10W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseTO-236AB

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)