BAW56SRA-QZ

Nexperia USA Inc

BAW56SRA-QZ

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE ARR GP 90V 375MA DFN1412-6

Aktiv6-XFDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerBAW56
Diode Configuration2 Pair Common Anode
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)4 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.25 V @ 150 mA
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)375mA
Current - Reverse Leakage @ Vr500 nA @ 80 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-XFDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseDFN1412-6

Umwelt

GradeAutomotive
Operating Temperature - Junction150°C
QualificationAEC-Q101