BAW56QAZ

Nexperia USA Inc

BAW56QAZ

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE ARRAY GP 90V 180MA 3DFN

Aktiv3-XDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerBAW56
Diode Configuration1 Pair Common Anode
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)4 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.25 V @ 150 mA
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)180mA (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr500 nA @ 80 V
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case3-XDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseDFN1010D-3

Umwelt

GradeAutomotive
Operating Temperature - Junction150°C (Max)
QualificationAEC-Q101