2N7002BKV,115

Nexperia USA Inc

2N7002BKV,115

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 60V 340MA SOT666

AbgekündigtSOT-563, SOT-666Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 500mA, 10V
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 10V
HerstellerNexperia USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
SerieTrenchMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C340mA
Power - Max350mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
Hersteller-GehäuseSOT-666

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101