NP82N055MUG-S18-AY

NEC Corporation

NP82N055MUG-S18-AY

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 55V 82A TO220

ObsoletTO-220-3 Full PackAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 41A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9600 pF @ 25 V
HerstellerNEC Corporation
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C82A (Tc)
Max. Verlustleistung1.8W (Ta), 143W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Hersteller-GehäuseTO-220

Umwelt

Betriebstemperatur175°C (TJ)