NP82N04NDG-S18-AY

Name: NP82N04NDG-S18-AY
Brand: NEC Corporation

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 82A 3LDPAK

ObsoletTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AAAnalog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2mOhm @ 41A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9000 pF @ 25 V
Hersteller	NEC Corporation
Montageart	Through Hole
Product Status	Obsolete
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	82A (Tc)
Max. Verlustleistung	1.8W (Ta), 143W (Tc)

Gehäuse	Tube
Hersteller-Gehäuse	3-LDPAK