NM27C010N200

National Semiconductor

NM27C010N200

Speicher & Storage

IC EPROM 1MBIT PARALLEL 32DIP

Aktiv32-DIP (0.600", 15.24mm)Speicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieEPROM - OTP
Zugriffszeit200 ns
Basis-TeilenummerNM27C010
HerstellerNational Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive

Elektrisch

Speichergröße1Mbit
SpeicherformatEPROM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung4.5V ~ 5.5V
Memory Organization128K x 8

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case32-DIP (0.600", 15.24mm)
Hersteller-Gehäuse32-DIP

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~70°C(TA)