LM5112MY

National Semiconductor

LM5112MY

Analog & Leistungselektronik

BUFFER/INVERTER BASED MOSFET DRI

Aktiv8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerLM5112
Channel TypeSingle
Driven ConfigurationLow-Side
Gate TypeN-Channel MOSFET
EingangstypInverting, Non-Inverting
HerstellerNational Semiconductor
MontageartSurface Mount
Number of Drivers1
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)14ns, 12ns

Elektrisch

Current - Peak Output (Source, Sink)3A, 7A
Logic Voltage - VIL, VIH0.8V, 2.3V
Versorgungsspannung3.5V ~ 14V

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-MSOP-PowerPad

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~125°C(TJ)