LM5102SD

National Semiconductor

LM5102SD

Analog & Leistungselektronik

HALF BRIDGE BASED PERIPHERAL DRI

Aktiv10-WDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerLM5102
Channel TypeIndependent
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeN-Channel MOSFET
EingangstypNon-Inverting
HerstellerNational Semiconductor
MontageartSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)600ns, 600ns

Elektrisch

Current - Peak Output (Source, Sink)1.6A, 1.6A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)118 V
Logic Voltage - VIL, VIH0.8V, 2.2V
Versorgungsspannung9V ~ 14V

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case10-WDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse10-WSON (4x4)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~125°C(TJ)