Allgemein
| Verstärkertyp | J-FET |
|---|---|
| Hersteller | National Semiconductor |
| Montageart | Surface Mount |
| Verpackung | Tube |
| Teilestatus | Obsolet |
| Serie | BI-FET II™ |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Eingangs-Offsetspannung | 300 µV |
|---|---|
| Versorgungsspannungsbereich max. | 32 V |
| Versorgungsspannungsbereich min. | 10 V |
| Eingangs-Biasstrom | 50 pA |
| Versorgungsstrom | 3.4mA |
| Gain-Bandwidth-Produkt | 4 MHz |
| Anzahl Schaltungen | 1 |
| Anstiegsrate | 13V/µs |
Mechanisch
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | 8-SOIC |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C |
|---|