Allgemein
| Verstärkertyp | J-FET |
|---|---|
| Hersteller | National Semiconductor |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Eingangs-Offsetspannung | 300 µV |
|---|---|
| Versorgungsspannungsbereich max. | 40 V |
| Versorgungsspannungsbereich min. | 10 V |
| Eingangs-Biasstrom | 50 pA |
| Versorgungsstrom | 1.8mA |
| Gain-Bandwidth-Produkt | 4 MHz |
| Anzahl Schaltungen | 1 |
| Anstiegsrate | 15V/µs |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Hersteller-Gehäuse | 8-PDIP |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 0°C~70°C |
|---|