Allgemein
| Verstärkertyp | J-FET |
|---|---|
| Hersteller | National Semiconductor |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Eingangs-Offsetspannung | 3 mV |
|---|---|
| Versorgungsspannungsbereich max. | 30 V |
| Versorgungsspannungsbereich min. | 10 V |
| Eingangs-Biasstrom | 65 pA |
| Versorgungsstrom | 1.4mA (x4 Channels) |
| Gain-Bandwidth-Produkt | 3 MHz |
| Anzahl Schaltungen | 4 |
| Anstiegsrate | 13V/µs |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 8-CDIP (0.300", 7.62mm) |
| Hersteller-Gehäuse | 8-CDIP |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -55°C~125°C(TA) |
|---|