Allgemein
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SRAM - Asynchronous |
| Zugriffszeit | 30 ns |
| Hersteller | National Semiconductor |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Serie | 93425DMQB40 |
| Schreibzykluszeit | 20ns |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Speichergröße | 1Kbit |
|---|---|
| Speicherformat | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Versorgungsspannung | 4.5V ~ 5.5V |
| Memory Organization | 1K x 1 |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 16-CDIP (0.300", 7.62mm) |
| Hersteller-Gehäuse | 16-CDIP |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C (TC) |
|---|