MP1921GQ-B-P

Monolithic Power Systems Inc

MP1921GQ-B-P

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

100V, 2.5A, HIGH-FREQUENCY HALF

Aktiv10-VFDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Channel TypeIndependent
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeN-Channel MOSFET
EingangstypNon-Inverting
HerstellerMonolithic Power Systems Inc.
MontageartSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)12ns, 9ns
SerieMP

Elektrisch

Current - Peak Output (Source, Sink)2.5A, 2.5A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)120 V
Versorgungsspannung9V ~ 18V

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case10-VFDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse10-QFN (3x3)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)