Allgemein
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Drain-Source-Spannung | 1200 V |
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Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Hersteller-Gehäuse | D3PAK |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -55°C~175°C(TJ) |
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