Allgemein
| Hersteller | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Montageart | Chassis Mount |
| Verpackung | Bulk |
| Teilestatus | Obsolet |
| Transistor Type | NPN |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 19.8A |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 1A, 5V |
| Power - Max | 720W |
| Frequency - Transition | 1.025GHz ~ 1.15GHz |
| Gain | 7dB ~ 7.1dB |
Mechanisch
| Package / Case | M218 |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | M218 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
|---|