Allgemein
| Hersteller | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Montageart | Chassis Mount |
| Verpackung | Bulk |
| Teilestatus | Obsolet |
| Transistor Type | NPN |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 55V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 2A, 5V |
| Power - Max | 300W |
| Frequency - Transition | 960MHz ~ 1.215GHz |
| Gain | 7.5dB |
Mechanisch
| Package / Case | M218 |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | M218 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 250°C (TJ) |
|---|