Allgemein
| Hersteller | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Montageart | Through Hole |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.5dB @ 450MHz |
| Verpackung | Bulk |
| Teilestatus | Obsolet |
| Transistor Type | NPN |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Power - Max | 200mW |
| Frequency - Transition | 4GHz |
| Gain | 6.5dB ~ 10.5dB |
Mechanisch
| Package / Case | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | TO-72 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
|---|