Allgemein
| Hersteller | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 17V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 5V |
| Power - Max | 1W |
| Frequency - Transition | 3GHz |
| Gain | 13.5dB |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Hersteller-Gehäuse | TO-39 |