Allgemein
| Hersteller | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Montageart | Chassis Mount |
| Verpackung | Bulk |
| Teilestatus | Obsolet |
| Transistor Type | NPN |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4A |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 500mA, 5V |
| Power - Max | 350W |
| Frequency - Transition | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
| Gain | 10dB |
Mechanisch
| Package / Case | 55AW |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | 55AW |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
|---|