MC5616

Microsemi Corporation

MC5616

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GP 3KV 570MA S AXIAL

AktivS, AxialAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerMC5616
HerstellerMicrosemi Corporation
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)300 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)3000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If6 V @ 100 mA
Current - Average Rectified (Io)570mA
Current - Reverse Leakage @ Vr1 µA @ 3000 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseS, Axial
Hersteller-GehäuseS, Axial

Umwelt

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 150°C