Allgemein
| Basis-Teilenummer | 2N3811 |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Montageart | Through Hole |
| Verpackung | Bulk |
| Teilestatus | Obsolet |
| Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 100µA, 1mA |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 1mA, 5V |
| Power - Max | 350mW |
Mechanisch
| Package / Case | TO-78-6 Metal Can |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | TO-78-6 |
Umwelt
| Grade | Military |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Qualification | MIL-PRF-19500/336 |