Allgemein
| Basis-Teilenummer | 2N1016 |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Product Status | Active |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/102 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 1A, 5A |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 7.5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 5A, 4V |
| Power - Max | 150 W |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | TO-82 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
|---|