JAN1N6629

Microsemi Corporation

JAN1N6629

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

AktivE, AxialAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-Teilenummer1N6629
HerstellerMicrosemi Corporation
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)50 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)880 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.4 V @ 1.4 A
Current - Average Rectified (Io)1.4A
Current - Reverse Leakage @ Vr2 µA @ 800 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseE, Axial

Umwelt

GradeMilitary
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C
QualificationMIL-PRF-19500/590